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CPD法碳化硅单晶体生产技术研究
 

CPD法碳化硅单晶体生产技术研究

    2011-056-日本-001

 

碳化硅单晶体生产及其控制技术是未来半导体技术的制高点之一。大片完整的碳化硅单晶体,可作为发光二极管(如晶体灯、数字管灯)的基片;高纯碳化硅晶体是制作耐辐射高温半导体的优质材料。目前,国内外半导体材料研究单位大多采取PVTphysical vapor transport)法进行碳化硅单晶体生产技术研究。但该方法存在生产条件要求高(需要高温高压),且成品质量难以控制(拉单晶过程易产生超微孔洞)等问题。据日本一企业负责人介绍,目前他们正在进行碳化硅单晶体的新式生产技术—CPD法(Chemical Particle Deposition)研究。该方法采用与PVT法完全不同的生产原理,可在常温低压的条件下生产,成本低、效率高、排放少,无有毒气体产生。该技术主要研制者山田益山先生多年来从事半导体技术研究,曾获多项专利,本人希望与国内有关单位共同进行CPD法的合作研究。

 

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信息来源:中国科学技术交流中心 2011-02-21

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